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Samsung MZ-75E250B/EU SSD 850 EVO, 250 GB, 2.5″, SATA III, Nero/Grigio [Vecchio Modello]

121,99 (come di 15 dicembre 2018, 1:29 pm) & FREE Shipping. Details 88,00

SSD con tecnologia V-NAND Samsung
Fattore di forma 2,5 Pollici, ottimo sia per computer portatili che fissi
Interfaccia SATA 6 Gb/s e retrocompatibile con SATA 3 Gb/s e SATA 1,5 Gb/s

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Descrizione

MTBF:1,500,000 ore, Consumo energetico:2.4 Watt ( attivo ) Š 50 mW ( inattivo ) Š 2 mW ( sospensione ), Interfacce:1 x SATA 6 Gb/s – Serial ATA a 7 pin, Vani compatibili:1 x interno – 2.5″, Interfaccia:SATA 6Gb/s, Altezza:6.8 mm, Peso:40 g, Larghezza:69.85 mm, Dimensione buffer:512 MB, Capacità:250 GB, Fattore di forma:2.5″, Profondità:100 mm, Caratteristiche:Self Encrypting Drive (SED), Hardware Full Disk Encryption (FDE), supporto TRIM, tecnologia Garbage Collection, cache DRAM, modalità DevSleep, TCG Opal Encryption 2.0, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), modalità RAPID supportata, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache, Samsung MGX Controller , S.M.A.R.T., 256 bit AES, IEEE 1667, Tipo di dispositivo:Unità stato solido – interno, Temperatura min esercizio:0 °C, Umidità ambiente operativo:5 – 95% (senza condensa), Tolleranza agli urti (non operativo):1500 g @ impulso semisinusoidale a 0,5 ms, Temperatura max esercizio:70 °C, Tolleranza alle vibrazioni (non operativo):20 g @ 20-2000 Hz, Durata SSD:75 TB, Velocità di trasferimento dati unità interna:600 MBps (esterna), Scrittura casuale da 4 KB:88000 IOPS, Lettura casuale da 4 KB:97000 IOPS, Velocità di trasferimento dati interno:540 MBps (lettura) / 520 MBps (scrittura), Software incluso:Samsung Magician Software, Samsung Data Migration
SSD con tecnologia V-NAND Samsung
Fattore di forma 2,5 Pollici, ottimo sia per computer portatili che fissi
Interfaccia SATA 6 Gb/s e retrocompatibile con SATA 3 Gb/s e SATA 1,5 Gb/s
Velocità di Lettura Sequenziale fino a 540 MB/sec e velocità di scrittura sequenziale fino a 520 MB/sec
Lettura casuale fino a 97000 IOPS e scrittura casuale fino a 88000 IOPS